新型稀土發光材料Sr3-x MgSi3 O10 ∶ Tb3 +x的性質
日期:2013-03-25 17:04
(544 nm)增長的幅度比次發射峰(491nm)更大，因此，樣品的綠光發射(5D47F5)更強。
（3）Tb3 +濃度對發射光譜的影響
不同Tb3 +濃度下Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x的發射光譜如圖7所示。由圖7可知，Tb3 +濃度對樣品的發射峰的形狀和位置影響很小，這是由于Tb3 +的發射屬于4層內的-躍遷，而4受到5s，5p的屏蔽作用，使其幾乎不受外場的影響。從圖7還可以看出，Tb3 +濃度(x)對Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x發光強度影響較大。當x＜0．12時，隨著Tb3 +濃度的增加，樣品的相對發光強度不斷增加;當Tb3 +濃度x為0．12時，樣品的相對發光強度達到最大值;此
后Tb3 +濃度進一步增大，樣品發光強度反而開始降低，即發生濃度猝滅。這是因為:當激活離子Tb3 +的濃度過低時，由于發光中心較少，因而發光強度較低;隨著Tb3 +濃度的增大，發光中心的數量隨之增加，于是發光強度隨之提高;當激活離子濃度超過某一值時，激活離子之間的相互作用增強，增大了無輻射躍遷的幾率，從而使發光效率下降。所以，激活離子濃度存在一最佳值。
（4）Sr3-xMgSi3O10∶Tb3 +x的濃度猝滅機制探究
根據Dexter有關發光材料的濃度猝滅理論，得到濃度猝滅出現后發光濃度與激活劑摻雜濃度的關系:Ix1－s/3，式I為發光強度，x